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JANSF2N7382 PDF预览

JANSF2N7382

更新时间： 2024-09-11 14:56:47
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 947K
描述
Rad hard, -100V, -1.1A, single, P-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 300 krad(Si) TID, QPL

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JANSF2N7382 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27其他特性：RADIATION HARDENED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-MSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/615子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

JANSF2N7382 数据手册

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PD-91400D  
IRHY9130CM  
JANSR2N7382  
100V, P-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
REF: MIL-PRF-19500/615  
RAD Hard™HEXFET ® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
IRHY9130CM  
IRHY93130CM  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
-11A  
-11A  
JANSR2N7382  
JANSF2N7382  
0.30  
0.30  
TO-257AA  
Description  
Features  
IR HiRel RADHard™ HEXFET® technology provides high  
performance power MOSFETs for space applications. This  
technology has over a decade of proven performance and  
reliability in satellite applications. These devices have been  
characterized for both Total Dose and Single Event Effects  
(SEE). The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications such as  
DC to DC converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs such as  
voltage control, fast switching and temperature stability of  
electrical parameters.  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Light Weight  
ESD Rating: Class 1B per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Symbol  
Value  
Parameter  
Units  
ID1 @ VGS = -12V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID2 @ VGS = -12V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
-11  
A
-7.0  
-44  
75  
IDM @ TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Pulsed Drain Current   
Maximum Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current   
0.6  
±20  
150  
-11  
7.5  
-16  
VGS  
EAS  
IAR  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
mJ  
V/ns  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
4.3 (Typical)  
Weight  
For Footnotes, refer to the page 2.  
1
2019-12-10  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
12345678

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与JANSF2N7382相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSF2N7383 ETC

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 		-200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package
JANSF2N7389 INFINEON

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 		TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)
JANSF2N7389U INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC
JANSF2N7390 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET
JANSF2N7390U INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -200V, -4A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC packageage - 18-pin LC
JANSF2N7394 INFINEON

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 		Rad hard, 60V, 35A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 300 kra
JANSF2N7394U INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
JANSF2N7422 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANSF2N7422U INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT
JANSF2N7423 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA)

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