JANS2N3501L

更新时间： 2024-11-28 22:55:35

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	63K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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JANS2N3501L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/366K	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	1150 ns	最大开启时间（吨）：	115 ns
Base Number Matches：	1

JANS2N3501L 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 366

Devices

Qualified Level

JAN

2N3498

2N3499

2N3500

2N3501

JANTX

2N3498L

2N3499L

2N3500L

2N3501L

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

2N3498^*2N3500^*

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol 2N3499^*2N3501^*

Unit

Vdc

100

6.0

150

6.0

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

TO-5*

500

300

mAdc

@ T_A= 25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= 25⁰C ⁽²⁾

1.0

5.0

⁰C

2N3498L, 2N3499L

2N3500L, 2N3501L

Total Power Dissipation

P_T

Operating & Storage Junction Temp. Range

-55 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

Thermal Resistance:

Junction-to-Case

qJC

⁰C/W

TO-39* (TO-205AD)

2N3498, 2N3499

Junction-to-Ambient

175

qJA

*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices

1) Derate linearly 5.71 W/⁰C for T_A> 25⁰C

2N3500, 2N3501

2) Derate linearly 28.6 W/⁰C for T_C> 25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

100

150

Vdc

2N3498, 2N3499

2N3500, 2N3501

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50 Vdc

V_CB= 75 Vdc

V_CB= 100 Vdc

V_CB= 150 Vdc

hAdc

mAdc

2N3498, 2N3499

2N3500, 2N3501

2N3498, 2N3499

2N3500, 2N3501

I_CBO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0 Vdc

V_EB= 6.0 Vdc

hAdc

mAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANS2N3501L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N3501	MICROSEMI	完全替代	NPN SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3501	MICROSEMI	完全替代	NPN BIPOLAR TRANSISTOR
JANS2N3501	MICROSEMI	完全替代	NPN SILICON TRANSISTOR

与JANS2N3501L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N3501UB	ETC	获取价格	BJT
JANS2N3501UB/TR	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
JANS2N3506	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-5
JANS2N3506A	ETC	获取价格	BJT
JANS2N3506AL	ETC	获取价格	BJT
JANS2N3506L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-5
JANS2N3507	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-5
JANS2N3507A	ETC	获取价格	BJT
JANS2N3507AL	ETC	获取价格	BJT
JANS2N3507L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-5

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