是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.17 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 140 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 60 | JEDEC-95代码: | TO-205AD |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 1 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/357 | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 200 MHz |
最大关闭时间(toff): | 650 ns | 最大开启时间(吨): | 200 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANS2N3635L | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | |
JANS2N3635UB | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC | |
JANS2N3635UB/TR | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, | |
JANS2N3636 | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | |
JANS2N3636L | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | |
JANS2N3636UB | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC | |
JANS2N3637 | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | |
JANS2N3637/TR | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD | |
JANS2N3637L | MICROSEMI |
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR | |
JANS2N3637UB/TR | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, |