是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIE-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.40 |
风险等级: | 5.38 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A |
最大漏极电流 (ID): | 6 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-XUUC-N3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | UNCASED CHIP | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 20 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/555H |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANHCA2N6790 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
JANHCA2N6792 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
JANHCA2N6794 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
JANHCA2N6796 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-39 | |
JANHCA2N6798 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-39 | |
JANHCA2N6800 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-39 | |
JANHCA2N6802 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-39 | |
JANHCA2N6804 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-204AA | |
JANHCA2N6806 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-204AA | |
JANHCA2N6845 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |