是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIE-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.21.00.40 | 风险等级: | 5.38 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.5 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XUUC-N3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 20 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/555H | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANHCA2N6796 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-39 | |
JANHCA2N6798 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-39 | |
JANHCA2N6800 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-39 | |
JANHCA2N6802 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-39 | |
JANHCA2N6804 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-204AA | |
JANHCA2N6806 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-204AA | |
JANHCA2N6845 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF | |
JANHCA2N6847 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-205AF | |
JANHCA2N6849 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-205AF | |
JANHCA2N6851 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |