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JANHCA2N7219 PDF预览

JANHCA2N7219

更新时间： 2024-11-03 19:51:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
24页 349K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3

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JANHCA2N7219 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：DIE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
雪崩能效等级（Eas）：450 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUUC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/596F
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANHCA2N7219 数据手册

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INCH-POUND  
The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this revision  
shall be completed by 1 June 2013.  
MIL-PRF-19500/596K  
17 April 2013  
SUPERSEDING  
MIL-PRF-19500/596J  
14 April 2009  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, REPETITIVE AVALANCHE, FIELD EFFECT,  
TRANSISTOR, N-CHANNEL, SILICON,  
TYPES 2N7218, 2N7219, 2N7221, 2N7222, 2N7218U, 2N7219U,  
2N7221U, AND 2N7222U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC  
This specification is approved for use by all Departments  
and Agencies of the Department of Defense.  
The requirements for acquiring the product described herein shall consist of  
this specification sheet and MIL-PRF-19500.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for a N-channel, enhancement mode,  
MOSFET, power transistor intended for use in high density power switching applications. Four levels of product  
assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500, with avalanche energy maximum  
ratings (EAR and EAS) and maximum avalanche current IAR. Two levels of product assurance are provided for die  
(element evaluation).  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-254AA), figure 2 for JANHC and JANKC (die) dimensions, and figure 3  
for surface mount (TO-267AB).  
1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified, TC = +25°C.  
Type  
PT (1)  
PT  
V(BR)DSS min ID1 (3) (4) ID2 (3) (4)  
IS  
IDM  
(5)  
TJ  
Rθ  
JC  
TC =  
+25°C  
W
TA =  
+25°C  
W
(2)  
VGS = 0  
ID = 1.0 mA dc  
V dc  
TC =  
+25°C  
A dc  
TC =  
+100°C  
A dc  
and  
TSTG  
°C  
A dc A (pk)  
°C/W  
2N7218, 2N7218U  
2N7219, 2N7219U  
2N7221, 2N7221U  
2N7222, 2N7222U  
125  
125  
125  
125  
4
4
4
4
100  
200  
400  
500  
28  
18  
10  
8
20  
11  
6
28  
18  
10  
8
112  
72  
40  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
-55 to +150  
-55 to +150  
-55 to +150  
-55 to +150  
5
32  
See notes next page.  
Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to Defense Supply Center,  
Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to  
Semiconductor@dla.mil. Since contact information can change, you may want to verify the currency of this  
address information using the ASSIST Online database at https://assist.dla.mil/.  
*
AMSC N/A  
FSC 5961  
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与JANHCA2N7219相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANHCA2N7221 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
JANHCA2N7222 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
JANHCA2N7224 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 34A I(D) | TO-254AA
JANHCA2N7225 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27.4A I(D) | TO-254AA
JANHCA2N7227 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254AA
JANHCA2N7228 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254AA
JANHCA2N7236 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-254AA
JANHCA2N7237 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254AA
JANHCAR2N3810 MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANHCAR2N7391 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

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