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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.51 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 90 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3506L | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N3507 | VISHAY |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, |
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| JAN2N3507 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205, S |
|
| JAN2N3507A | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, HE |
|
| JAN2N3507AL | ETC |
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BJT |
|
| JAN2N3507AU4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
|
| JAN2N3507L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N3584 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3585 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3634 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
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