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IXTU8N70X2

更新时间： 2024-03-25 22:01:48

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力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
7页	409K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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IXTU8N70X2 数据手册

IXTU8N70X2 IXTY8N70X2

IXTA8N70X2 IXTP8N70X2

TO-252 AA Outline

TO-263 Outline

TO-220 Outline

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

0.43 [11.0]

0

5.55MIN

OPTIONAL

EJECTOR

0.34 [8.7]

0.66 [16.6]

6.50MIN

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

0.20 [5.0]

0.10 [2.5]

0.12 [3.0]

0.06 [1.6]

6.40

2.28

3X b

3X b2

2.85MIN

1.25MIN

BOTTOM

VIEW

1 - Gate

2,4 - Drain

3 - Source

LAND PATTERN RECOMMENDATION

TO-251 OUTLINE

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IXTV18N60P	IXYS	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格
IXTV18N60PS	IXYS	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格
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