5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTL25P10 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254 |
|
| IXTL2N450 | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information |
|
| IXTL2N450 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高 |
|
| IXTL2N470 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IXTL2N470 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTL2X18010T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.009ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTL2x180N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXTL2X200N085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 85V, 0.006ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTL2X220N075T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0055ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTL350 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
