Datasheet > IXTL2x180N10T

IXTL2x180N10T

更新时间： 2024-11-19 14:56:39

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
3页	143K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTL2x180N10T 数据手册

Preliminary Technical Information

Trench^TMPower MOSFET

Common-Gate Pair

V_DSS= 100V

I_D25= 2x100A

R_DS(on)≤ 9mΩ

IXTL2x180N10T

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Features

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

100

450

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

175°C Operating Temperature

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

P_D

T_C= 25°C

150

dv/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Advantages

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

F_C

Mounting Force

20..120 /9..27

N/lb.

Weight

Applications

Automotive

- Motor Drives

- DC/DC Conversion

- 42V Power Bus

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

- ABS Systems

DC/DC Converters and Off-Line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

Systems

High Current Switching Applications

Distributed Power Architechtures

and VRMs

Electronic Valve Train Systems

2.5

4.5

± 200 nA

μA

I_DSS

T_J= 150°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50A, Note 1

9 mΩ

High Voltage Synchronous Recifier

DS99752B(05/12)

12 3

中文翻译

下载PDF

与IXTL2x180N10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTL2X200N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 85V, 0.006ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTL2X220N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0055ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTL350	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTL450	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTL4P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-254
IXTL5N65	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTL5N65	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTL5P40	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-254
IXTL6N60	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-254
IXTL7N50	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与IXTL2x180N10T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTL2x180N10T

IXTL2x180N10T 数据手册

与IXTL2x180N10T相关器件

与IXTL2x180N10T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTL2x180N10T

IXTL2x180N10T 数据手册

与IXTL2x180N10T相关器件

与IXTL2x180N10T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？