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IXTL2X200N085T

更新时间： 2024-11-05 21:12:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	65K
描述
Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 85V, 0.006ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS, I5PAC-5

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IXTL2X200N085T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ISOPLUS, I5PAC-5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMPLEX
最小漏源击穿电压：	85 V	最大漏极电流 (ID)：	112 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T5	元件数量：	2
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	540 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTL2X200N085T 数据手册

Advance Technical Information

TrenchMV^TM

IXTL2x200N085T

V_DSS

I_D25= 2x112 A

6.0 mΩ

85 V

Power MOSFETs

Common-GatePair

R_DS(on)

≤

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

R_G

ISOPLUSi5-Pak^TM(IXTL)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

I_D25

Transient

T_C= 25°C

112

(Combined die total = 224 A)

Package Current Limit, RMS

(Combined die total = 150 A)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_LRMS

I_DM

Isolated back

surface

540

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 5 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C

150

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 °C Operating Temperature

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, t = 1 minute, I_ISOL< 1 mA, RMS

Mounting force

2500

Advantages

F_C

20..120/4.5..25

N/lb.

ꢀ

Easy to mount

Space savings

High power density

ꢀ

Weight

ꢀ

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

ꢀ

Automotive

- Motor Drives

- 42V Power Bus

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

2.0

4.0

- ABS Systems

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

V_GS

20 V, V_DS= 0 V

200 nA

ꢀ

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

5 μA

250 μA

Systems

High Current Switching

Applications

ꢀ

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 50 A, Notes 1, 2

6.0mΩ

All ratings and parametric values are per each MOSFET die unless otherwise specified.

DS99751(01/07)

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与IXTL2X200N085T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTL2X220N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0055ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTL350	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTL450	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTL4P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-254
IXTL5N65	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTL5N65	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTL5P40	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-254
IXTL6N60	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-254
IXTL7N50	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTL7P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-254

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