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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTM10P50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11N100 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTM11N80 | IXYS |
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MegaMOSFET |
|
| IXTM11N90 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11N95 | IXYS |
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暂无描述 |
|
| IXTM11P15 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11P20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11P50 | IXYS |
获取价格 |
Transistor, |
|
| IXTM12N100 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOS FET |
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