5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTM11N100 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTM11N80 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOSFET |
|
| IXTM11N90 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11N95 | IXYS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IXTM11P15 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11P20 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11P45 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11P50 | IXYS |
获取价格 |
Transistor, |
|
| IXTM12N100 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOS FET |
|
| IXTM12N45 | IXYS |
获取价格 |
12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
