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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTM11N80 | IXYS |
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MegaMOSFET |
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| IXTM11N90 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11N95 | IXYS |
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暂无描述 |
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| IXTM11P15 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11P20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
|
| IXTM11P50 | IXYS |
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Transistor, |
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| IXTM12N100 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOS FET |
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| IXTM12N45 | IXYS |
获取价格 |
12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM |
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| IXTM12N45A | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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