5秒后页面跳转
IXTM11P50 PDF预览

IXTM11P50

更新时间: 2024-11-05 20:12:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
12页 1094K
描述
Transistor,

IXTM11P50 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):11 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):200 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

IXTM11P50 数据手册

 浏览型号IXTM11P50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTM11P50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTM11P50的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTM11P50的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTM11P50的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTM11P50的Datasheet PDF文件第7页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与IXTM11P50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTM12N100 IXYS

获取价格

MegaMOS FET
IXTM12N45 IXYS

获取价格

12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTM12N45A LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTM12N50 IXYS

获取价格

12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTM12N50A IXYS

获取价格

Standard Power MOSFET
IXTM12N80 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTM12N90 IXYS

获取价格

MegaMOS FET
IXTM12N95 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTM12P25 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3
IXTM13N65 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,