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IXKP10N60C5M

更新时间: 2024-01-17 13:31:24
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IXYS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 98K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220ABFP, 3 PIN

IXKP10N60C5M 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220ABFP, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.72
其他特性:AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED雪崩能效等级(Eas):225 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5.4 A
最大漏极电流 (ID):5.4 A最大漏源导通电阻:0.385 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXKP10N60C5M 数据手册

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IXKP 10N60C5M  
TO-220 ABFP Outline  
Ø P  
A
E
A1  
H
Q
D
L1  
A2  
L
c
b1  
b
e
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
16  
14  
12  
10  
8
25  
20  
15  
10  
5
8 V  
20 V  
10 V  
8 V  
7 V  
TJ = 25°C  
TJ = 150°C  
7 V  
10 V  
6 V  
VGS  
=
20 V  
VGS  
=
5.5 V  
6 V  
5 V  
5.5 V  
6
4.5 V  
5 V  
4
2
4.5 V  
0
0
0
0
40  
80  
120  
160  
0
5
10  
[V]  
15  
20  
0
5
10  
15  
20  
TC [°C]  
V
DS  
V DS [V]  
Fig. 1 Power dissipation  
Fig. 2 Typ. output characteristics  
Fig. 3 Typ. output characteristics  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2009 IXYS All rights reserved  
20090209d  
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