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IXGN82N120C3H1

更新时间： 2024-04-02 21:14:51

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	171K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

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IXGN82N120C3H1 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP10N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N100A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1KV V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGP10N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGP10N80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 220A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N90	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB
IXGP10N90A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB