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IXFH130N15X3

更新时间： 2024-02-08 05:03:32

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6页	231K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFH130N15X3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXFH130N15X3 数据手册

IXFA130N15X3 IXFP130N15X3

IXFH130N15X3

Fig. 7. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig. 8. Input Admittance

140

120

100

180

160

140

120

100

= 10V

= 125^oC

25^oC

- 40^oC

-50

-25

100

125

150

3.5

0.3

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

T_C- Degrees Centigrade

V_GS- Volts

Fig. 9. Transconductance

Fig. 10. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

160

400

350

300

250

200

150

100

= 10V

= - 40^oC

140

120

100

25^oC

125^oC

= 125^oC

= 25^oC

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

1.7

100

120

140

160

180

200

I_D- Amperes

V_SD- Volts

Fig. 11. Gate Charge

Fig. 12. Capacitance

100,000

10,000

1,000

100

= 75V

= 1 MHz

= 65A

= 10mA

iss

oss

rss

100

1000

V_DS- Volts

Q_G- NanoCoulombs

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6

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