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IS65WV1288DBLL-45HLA3-TR

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
16页	432K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32,

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IS65WV1288DBLL-45HLA3-TR 数据手册

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IS62WV1288DALL/DBLL

IS65WV1288DALL/DBLLꢀ

READꢀCYCLEꢀSWITCHINGꢀCHARACTERISTICS⁽¹⁾ꢀ(OverꢀOperatingꢀRange)

ꢀ

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

ꢀ

ꢀ 35ꢀns

ꢀ

ꢀ 45ꢀnsꢀꢀ ꢀ

ꢀ 55ꢀnsꢀ ꢀ

ꢀ Symbolꢀ

Parameterꢀ

Min.ꢀ ꢀ Max.ꢀ

35ꢀ ꢀ —ꢀ

—ꢀ ꢀ 35ꢀ

10ꢀ ꢀ —ꢀ

—ꢀ ꢀ 35ꢀ

—ꢀ ꢀ 10ꢀ

3ꢀ ꢀ —ꢀ

0ꢀ ꢀ 10ꢀꢀ

5ꢀ ꢀ —ꢀ

Min.ꢀ ꢀ Max.ꢀ

Min.ꢀ ꢀ Max.ꢀ ꢀ Unit

ꢀ ꢀ trCꢀ

ReadꢀCycleꢀTimeꢀ

45ꢀ ꢀ —ꢀ

—ꢀ ꢀ 45ꢀ

10ꢀ ꢀ —ꢀ

—ꢀ ꢀ 45ꢀ

—ꢀ ꢀ 20ꢀ

—ꢀ ꢀ 15ꢀ

55ꢀ ꢀ —ꢀ

—ꢀ ꢀ 55ꢀ

10ꢀ ꢀ —ꢀ

—ꢀ ꢀ 55ꢀ

—ꢀ ꢀ 25ꢀ

—ꢀ ꢀ 20ꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ tAAꢀ

AddressꢀAccessꢀTimeꢀ

OutputꢀHoldꢀTimeꢀ

ꢀ ꢀ tOhAꢀ

ꢀ ꢀ tACs1/tACs2ꢀ

ꢀ ꢀ tdOeꢀ

CS1/CS2ꢀAccessꢀTimeꢀ

OEꢀAccessꢀTimeꢀ

(2)

ꢀ ꢀ thzOe ꢀ

OEꢀtoꢀHigh-ZꢀOutputꢀ

OEꢀtoꢀLow-ZꢀOutputꢀ

(2)

ꢀ ꢀ tLzOe ꢀ

5ꢀ

ꢀ

—ꢀ

5ꢀ

0ꢀ

ꢀ

—ꢀ

20ꢀ

(2)

ꢀ ꢀ thzCs1/thzCs2 ꢀ CS1/CS2ꢀtoꢀHigh-ZꢀOutputꢀ

0ꢀ ꢀ 15ꢀ

10ꢀ ꢀ —ꢀ

(2)

ꢀ ꢀ tLzCs1/tLzCs2 ꢀ CS1/CS2ꢀtoꢀLow-ZꢀOutputꢀ

10ꢀ ꢀ —ꢀ

Notes:ꢀ

1.ꢀ Testꢀconditionsꢀassumeꢀsignalꢀtransitionꢀtimesꢀofꢀ5ꢀnsꢀorꢀless,ꢀtimingꢀreferenceꢀlevelsꢀofꢀ0.9V/1.5V,ꢀinputꢀpulseꢀlevelsꢀofꢀ0.4ꢀtoꢀ

V^dd-0.2V/Vdd-0.3VꢀandꢀoutputꢀloadingꢀspeciﬁedꢀinꢀFigureꢀ1.

2.ꢀ TestedꢀwithꢀtheꢀloadꢀinꢀFigureꢀ2.ꢀTransitionꢀisꢀmeasuredꢀ 500ꢀmVꢀfromꢀsteady-stateꢀvoltage.ꢀNotꢀ100%ꢀtested.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ

Rev.ꢀ B

12/01/2010

1...4 5 678 9 10...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IS65WV1288DBLL-45QLA3-TR	ISSI	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32,	获取价格
IS65WV1288DBLL-45TLA3	ISSI	IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I	获取价格
IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR	ISSI	IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I	获取价格
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