Datasheet > IS64LV51216-12TLA3

IS64LV51216-12TLA3

更新时间： 2024-11-30 04:22:59

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		/
页数	文件大小	规格书
15页	117K
描述
512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS64LV51216-12TLA3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3
长度：	18.415 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS64LV51216-12TLA3 数据手册

浏览型号IS64LV51216-12TLA3的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IS64LV51216-12TLA3的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IS64LV51216-12TLA3的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IS64LV51216-12TLA3的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IS64LV51216-12TLA3的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IS64LV51216-12TLA3的Datasheet PDF文件第7页

IS61LV51216

IS64LV51216

ISSI

512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

DECEMBER2005

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61/64LV51216 is a high-speed, 8M-bit static

RAMorganizedas525,288wordsby16bits.Itisfabricated

using ISSI's high-performance CMOS technology. This

highly reliable process coupled with innovative circuit de-

sign techniques, yields high-performance and low power

consumption devices.

• High-speed access time:

— 8, 10, and 12 ns

• CMOS low power operation

• Low stand-by power:

— Less than 5 mA (typ.) CMOS stand-by

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial and Automotive temperatures available

• Lead-free available

The IS61/64LV51216 is packaged in the JEDEC standard

44-pin TSOP Type II and 48-pin Mini BGA (9mm x 11mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A18

DECODER

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. D

12/06/05

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与IS64LV51216-12TLA3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS64LV6416AL-20TA2	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS64LV6416AL-20TA3	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
IS64LV6416AL-25BA1	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 25ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
IS64LV6416L	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS64LV6416L-10BA1	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS64LV6416L-10TA1	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS64LV6416L-12BA2	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS64LV6416L-12BA3	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS64LV6416L-12TA2	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS64LV6416L-12TA3	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

与IS64LV51216-12TLA3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS64LV51216-12TLA3

IS64LV51216-12TLA3 技术参数

IS64LV51216-12TLA3 数据手册

与IS64LV51216-12TLA3相关器件

与IS64LV51216-12TLA3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS64LV51216-12TLA3

IS64LV51216-12TLA3 技术参数

IS64LV51216-12TLA3 数据手册

与IS64LV51216-12TLA3相关器件

与IS64LV51216-12TLA3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？