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IS64LV6416L-12TA2

更新时间： 2024-11-30 04:22:59

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		/
页数	文件大小	规格书
14页	89K
描述
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS64LV6416L-12TA2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.64
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.003 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS64LV6416L-12TA2 数据手册

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IS64LV6416L

ISSI

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC

RAM WITH 3.3V SUPPLY

MAY2003

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS64LV6416L is a high-speed, 1,048,576-bit

static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields access times

as fast as 10 ns with low power consumption.

• High-speed access time: 10, 12 ns

• CMOS low power operation:

250 mW (typical) operating

250 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

Easy memory expansion is provided by using Chip

Enable and Output Enable inputs, CE and OE. The active

LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading

of the memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and

Lower Byte (LB) access.

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Temperature offerings:

Option A1: –40^oC to +85^oC

Option A2: –40^oC to +105^oC

Option A3: –40^oC to +125^oC

The IS64LV6416L is packaged in the JEDEC standard

44-pin TSOP-II, and 48-pin mini BGA (6mm x 8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany

publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. C

05/02/03

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS64LV6416L-12TA3	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS64S6432-100TQA1	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS64S6432-100TQA2	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS64S6432-133TQA2	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS64S6432-133TQA3	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS64VF102436B-7.5TQLA3	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, TQFP-100
IS64VF12832A	ISSI	获取价格	128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS64VF12832A-7.5TQLA3	ISSI	获取价格	128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM
IS64VF12832EC-6.5B2A3	ISSI	获取价格	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM
IS64VF12832EC-6.5B2LA3	ISSI	获取价格	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM

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