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IS64LV6416L-10BA1

更新时间： 2024-11-30 04:22:59

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS64LV6416L-10BA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.51
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.095 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

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IS64LV6416L

ISSI

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC

RAM WITH 3.3V SUPPLY

MAY2003

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS64LV6416L is a high-speed, 1,048,576-bit

static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields access times

as fast as 10 ns with low power consumption.

• High-speed access time: 10, 12 ns

• CMOS low power operation:

250 mW (typical) operating

250 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

Easy memory expansion is provided by using Chip

Enable and Output Enable inputs, CE and OE. The active

LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading

of the memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and

Lower Byte (LB) access.

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Temperature offerings:

Option A1: –40^oC to +85^oC

Option A2: –40^oC to +105^oC

Option A3: –40^oC to +125^oC

The IS64LV6416L is packaged in the JEDEC standard

44-pin TSOP-II, and 48-pin mini BGA (6mm x 8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany

publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. C

05/02/03

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