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IS64LV6416AL-20TA2

更新时间： 2024-11-30 19:10:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	86K
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Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

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IS64LV6416AL-20TA2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP28,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.6 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00003 A
最小待机电流：	2.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.86 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.47 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS64LV6416AL-20TA2 数据手册

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IS64LV6416AL

ISSI

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

PRELIMINARYINFORMATION

APRIL2003

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS64LV6416AL is a high-speed, 1,048,576-bit

static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinno-

vative circuit design techniques, yields access times as

fast as 20ns with low power consumption.

• High-speed access time: 20 ns, 25ns

• CMOS low power operation:

38 mW (typical) operating

10 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply:

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

2.6V (-5%/+10%) (20ns)

2.5V (-5%/+10%) (25ns)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

EasymemoryexpansionisprovidedbyusingChipEnable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Automotive temperature available

The IS64LV6416AL is packaged in the JEDEC standard

44-pin TSOP-II, and 48-pin mini BGA (6mm x 8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany

publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev.00B

04/03/03

12 3 4 5 6 7...15

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IS64LV6416L	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
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IS64LV6416L-10TA1	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
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IS64S6432-100TQA1	ISSI	获取价格	Cache SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

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