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IS61WV6416LL-20T PDF预览

IS61WV6416LL-20T

更新时间： 2024-09-18 13:50:35
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 92K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

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IS61WV6416LL-20T 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：PLASTIC, TSOP2-44针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.79
Is Samacsys：N最长访问时间：20 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.415 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS61WV6416LL-20T 数据手册

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®
IS61WV6416LL  
ISSI  
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM  
PRELIMINARYINFORMATION  
APRIL2003  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The ISSI IS61WV6416LL is a high-speed, 1,048,576-bit  
static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is  
fabricated using ISSI's high-performance CMOS  
technology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinno-  
vative circuit design techniques, yields access times as  
fast as 20ns with low power consumption.  
• High-speed access time: 20 ns  
• CMOS low power operation:  
50 mW (typical) operating  
25 µW (typical) standby  
• TTL compatible interface levels  
• Single power supply:  
2.5V-3.6V VDD  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a  
standby mode at which the power dissipation can be  
reduced down with CMOS input levels.  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
EasymemoryexpansionisprovidedbyusingChipEnable  
and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW  
Write Enable (WE) controls both writing and reading of the  
memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower  
Byte (LB) access.  
• Three state outputs  
• Data control for upper and lower bytes  
• Industrial Temperature Available  
The IS61WV6416LL is packaged in the JEDEC standard  
44-pin TSOP-II, and 48-pin mini BGA (6mm x 8mm).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
64K x 16  
MEMORY ARRAY  
A0-A15  
DECODER  
V
DD  
GND  
I/O0-I/O7  
Lower Byte  
I/O  
DATA  
CIRCUIT  
COLUMN I/O  
I/O8-I/O15  
Upper Byte  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
UB  
LB  
Copyright © 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability  
arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany  
publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev.00A  
1
04/01/03  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS61WV6416LL-20TI ISSI

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