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IS61ZB6432-5PQ

更新时间： 2024-09-18 18:01:23

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	501K
描述
ZBT SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100

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IS61ZB6432-5PQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	PLASTIC, QFP-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.7X.9	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.22 mm
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61ZB6432-5TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61ZB6432-6PQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61ZB6432-6TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61ZB6432-7PQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61ZB6432-7TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61ZB6432-8PQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61ZB6432-8TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
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