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IS61ZB6432-5TQ

更新时间： 2024-09-18 18:01:23

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IS61ZB6432-5TQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	TQFP-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	SELF-TIMED WRITE; BURST COUNTER; BYTE WRITE; LINEAR/INTERLEAVED BURST SEQUENCE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61ZB6432-6PQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61ZB6432-6TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61ZB6432-7PQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61ZB6432-7TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61ZB6432-8PQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61ZB6432-8TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS62/65WV2568DALL	ISSI	获取价格	256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS620	ETC	获取价格	OPTICALLY COUPLED BILATERAL SWITCH LIGHT ACTIVATED ZERO VOLTAGE CROSSING TRIAC
IS6201A	INNOVISIONSEMI	获取价格	CPU调压双环路数模混合式多相降压控制器, 可控制单路最高控制8相功率级同步输出
IS6202A	INNOVISIONSEMI	获取价格	CPU调压双环路数模混合式多相降压控制器, 可控制单路最高控制5相功率级同步输出