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IS61WV6416LL-20TI

更新时间： 2024-09-18 21:08:47

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	52K
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Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

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IS61WV6416LL-20TI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.75
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00002 A	最小待机电流：	2.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS61WV6416LL-20TI 数据手册

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IS61WV6416LL

ISSI

JANUARY 2004

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61WV6416LL is a high-speed, 1,048,576-bit

static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields access times

as fast as 20ns with low power consumption.

• High-speed access time: 20 ns

• CMOS low power operation:

50 mW (typical) operating

25 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply:

2.5V-3.6V V^DD

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

EasymemoryexpansionisprovidedbyusingChipEnable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial Temperature Available

The IS61WV6416LL is packaged in the JEDEC standard

44-pin TSOP-II, and 48-pin mini BGA (6mm x 8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device

specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. A

01/28/04

12 3 4 5 6 7...13

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IS61ZB12836-5TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61ZB12836-6TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 128KX36, 6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
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IS61ZB6432-6PQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
IS61ZB6432-6TQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IS61ZB6432-7PQ	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
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