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IS61WV5128BLL-10TL

更新时间： 2024-09-18 20:38:35

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	545K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44

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IS61WV5128BLL-10TL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.14
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.006 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS61WV5128BLL-10TL 数据手册

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IS61WV5128ALL/ALS

IS61WV5128BLL/BLS

IS64WV5128BLL/BLS

512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

AUGUST 2009

FEATURES

DESCRIPTION

HIGH SPEED: (IS61/64WV5128ALL/BLL)

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ8,ꢀ10,ꢀ20ꢀns

•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ85ꢀmWꢀ(typical)

The ISSI IS61WV5128Axx and IS61/64WV5128Bxx

are very high-speed, low power, 524,288-word by

8-bit CMOS static RAMs. The IS61WV5128Axx and

IS61/64WV5128Bxx are fabricated using ISSI's high-

performance CMOS technology.This highly reliable pro-

cess coupled with innovative circuit design techniques,

yields higher performance and low power consumption

devices.

•ꢀ Lowꢀstand-byꢀpower:ꢀ7ꢀmWꢀ(typical)

CMOS standby

LOW POWER: (IS61/64WV5128ALS/BLS)

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ25,ꢀ35ꢀns

•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ35ꢀmWꢀ(typical)

When CE is HIGH (deselected), the device assumes

a standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

•ꢀ Lowꢀstand-byꢀpower:ꢀ0.6ꢀmWꢀ(typical)

CMOS standby

The IS61WV5128Axx and IS61/64WV5128Bxx operate

from a single power supply.

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply

— V^{d d}1.65V to 2.2V (IS61WV5128Axx)

— V^{d d}2.4V to 3.6V (IS61/64WV5128Bxx)

TheIS61WV5128ALLandIS61/64WV5128BLLareavail-

able in 36-pin 400-mil SOJ, 36-pin mini BGA, and 44-pin

TSOP (Type II) packages.

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀ

required

The IS61WV5128ALS and IS61/64WV5128BLS are

available in 32-pinTSOP (Type I), 32-pin sTSOP (Type I),

32-pin SOP and 32-pin TSOP (Type II) packages.

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ IndustrialꢀandꢀAutomotiveꢀtemperatureꢀsupport

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A18

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. I

08/10/09

12 3 4 5 6 7...25

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61WV5128BLL-10TLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS61WV5128BLL-10TLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
IS61WV5128BLS-25TLI	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2
IS61WV5128EDBLL	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10BI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10BLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
IS61WV5128EDBLL-10KLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128EDBLL-10TI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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