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IS61WV5128EDBLL-10BI

更新时间： 2024-09-18 12:08:39

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美国芯成 - ISSI		/
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描述
512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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IS61WV5128EDBLL-10BI 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DSBGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	36
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.49
最长访问时间：	10 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B36
长度：	8 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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IS61WV5128EDBLL

IS64WV5128EDBLL

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

CMOS STATIC RAM WITH ECC

NOVEMBER 2011

DESCRIPTION

FEATURES

Theꢀ ISSIꢀ IS61/64WV5128EDBLLꢀ isꢀ aꢀ ꢀ high-speed,ꢀ

4,194,304-bitꢀstaticꢀRAMsꢀorganizedꢀasꢀ524,288ꢀwordsꢀbyꢀ

8ꢀbits.ꢀItꢀisꢀfabricatedꢀusingꢀISSI'sꢀhigh-performanceꢀCMOSꢀ

technology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀwithꢀinno-

vativeꢀcircuitꢀdesignꢀtechniques,ꢀyieldsꢀhigh-performanceꢀ

andꢀlowꢀpowerꢀconsumptionꢀdevices.

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ8,ꢀ10ꢀns

•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ85ꢀmWꢀ(typical)

•ꢀ LowꢀStandbyꢀPower:ꢀ7ꢀmWꢀ(typical)ꢀ

CMOSꢀstandby

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply

ꢀ —ꢀꢀV^ddꢀ2.4Vꢀtoꢀ3.6Vꢀ(10ꢀns)

—ꢀꢀV^ddꢀ3.3Vꢀ ꢀ10%ꢀ(8ꢀns)

WhenꢀCEꢀisꢀHIGHꢀ(deselected),ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀ

standbyꢀmodeꢀatꢀwhichꢀtheꢀpowerꢀdissipationꢀcanꢀbeꢀre-

ducedꢀdownꢀwithꢀCMOSꢀinputꢀlevels.

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀꢀ

required

EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ

andꢀOutputꢀEnableꢀinputs,ꢀCEꢀandꢀOE.ꢀTheꢀactiveꢀLOWꢀ

WriteꢀEnableꢀ(WE)ꢀcontrolsꢀbothꢀwritingꢀandꢀreadingꢀofꢀ

theꢀmemory.ꢀꢀ

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

•ꢀ IndustrialꢀandꢀAutomotiveꢀtemperatureꢀsupport

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

•ꢀ ErrorꢀDetectionꢀandꢀErrorꢀCorrection

TheꢀIS61/64WV5128EDBLLꢀisꢀꢀpackagedꢀinꢀtheꢀJEDECꢀ

standardꢀ44-pinꢀTSOP-II,ꢀ36-pinꢀSOJꢀandꢀ36-pinꢀMiniꢀBGAꢀ

(6mmꢀxꢀ8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

ECC Array

(512Kx4)

Memory Array

(512Kx8)

A0-A18

Decoder

I/O Data

Circuit

ECC

IO0-7

Column I/O

/CE

/OE

/WE

Control

Circuit

notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-

estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-

ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ

unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstancesꢀꢀ

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ

Rev. B

11/08/2011

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61WV5128EDBLL-10BLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
IS61WV5128EDBLL-10KLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128EDBLL-10TI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10TLI	ISSI	获取价格	512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR	ISSI	获取价格	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2
IS61WV6416BLL	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61WV6416BLL-12BI	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61WV6416BLL-12BLI	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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