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IS61WV5128EDBLL-10TI

更新时间： 2024-09-18 12:08:39
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美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
14页 446K
描述
512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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IS61WV5128EDBLL-10TI 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：0.400 INCH, TSOP2-44
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.59
最长访问时间：10 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：44
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS61WV5128EDBLL-10TI 数据手册

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IS61WV5128EDBLL  
IS64WV5128EDBLL  
512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS  
CMOS STATIC RAM WITH ECC  
NOVEMBER 2011  
DESCRIPTION  
FEATURES  
Theꢀ ISSIꢀ IS61/64WV5128EDBLLꢀ isꢀ aꢀ ꢀ high-speed,ꢀ  
4,194,304-bitꢀstaticꢀRAMsꢀorganizedꢀasꢀ524,288ꢀwordsꢀbyꢀ  
8ꢀbits.ꢀItꢀisꢀfabricatedꢀusingꢀISSI'sꢀhigh-performanceꢀCMOSꢀ  
technology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀwithꢀinno-  
vativeꢀcircuitꢀdesignꢀtechniques,ꢀyieldsꢀhigh-performanceꢀ  
andꢀlowꢀpowerꢀconsumptionꢀdevices.  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ8,ꢀ10ꢀns  
•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ85ꢀmWꢀ(typical)  
•ꢀ LowꢀStandbyꢀPower:ꢀ7ꢀmWꢀ(typical)ꢀ  
CMOSꢀstandby  
•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply  
ꢀ —ꢀꢀVddꢀ2.4Vꢀtoꢀ3.6Vꢀ(10ꢀns)  
—ꢀꢀVddꢀ3.3Vꢀ ꢀ10%ꢀ(8ꢀns)  
WhenꢀCEꢀisꢀHIGHꢀ(deselected),ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀ  
standbyꢀmodeꢀatꢀwhichꢀtheꢀpowerꢀdissipationꢀcanꢀbeꢀre-  
ducedꢀdownꢀwithꢀCMOSꢀinputꢀlevels.  
•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀꢀ  
required  
EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ  
andꢀOutputꢀEnableꢀinputs,ꢀCEꢀandꢀOE.ꢀTheꢀactiveꢀLOWꢀ  
WriteꢀEnableꢀ(WE)ꢀcontrolsꢀbothꢀwritingꢀandꢀreadingꢀofꢀ  
theꢀmemory.ꢀꢀ  
•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs  
•ꢀ IndustrialꢀandꢀAutomotiveꢀtemperatureꢀsupport  
•ꢀ Lead-freeꢀavailable  
•ꢀ ErrorꢀDetectionꢀandꢀErrorꢀCorrection  
TheꢀIS61/64WV5128EDBLLꢀisꢀꢀpackagedꢀinꢀtheꢀJEDECꢀ  
standardꢀ44-pinꢀTSOP-II,ꢀ36-pinꢀSOJꢀandꢀ36-pinꢀMiniꢀBGAꢀ  
(6mmꢀxꢀ8mm).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
ECC Array  
(512Kx4)  
Memory Array  
(512Kx8)  
A0-A18  
Decoder  
8
4
8
8
12  
I/O Data  
Circuit  
ECC  
IO0-7  
Column I/O  
/CE  
/OE  
/WE  
Control  
Circuit  
Copyrightꢀ©ꢀ2011ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwithoutꢀ  
notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-  
estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspecificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-  
ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ  
unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstancesꢀꢀ  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ  
1
Rev. B  
11/08/2011  
1234567...14

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