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Datasheet > 暂无类别数据> IS61LV25616AL-10TL
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IS61LV25616AL-10TL

更新时间： 2024-11-16 12:08:39
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 382K
描述
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS61LV25616AL-10TL 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：0.8Is Samacsys：N
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e3
长度：18.415 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.63 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS61LV25616AL-10TL 数据手册

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IS61LV25616AL  
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS  
CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY  
DECEMBER 2011  
DESCRIPTION  
FEATURES  
TheꢀISSIꢀIS61LV25616ALꢀisꢀaꢀhigh-speed,ꢀ4,194,304-bitꢀ  
staticꢀRAMꢀorganizedꢀasꢀ262,144ꢀwordsꢀbyꢀ16ꢀbits.ꢀItꢀisꢀ  
fabricatedꢀusingꢀISSI'sꢀhigh-performanceꢀCMOSꢀtechnol-  
ogy.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀcoupledꢀwithꢀinnovativeꢀ  
circuitꢀdesignꢀtechniques,ꢀyieldsꢀhigh-performanceꢀandꢀlowꢀ  
powerꢀconsumptionꢀdevices.  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ  
—ꢀ10,ꢀ12ꢀnsꢀ  
•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation  
•ꢀ Lowꢀstand-byꢀpower:ꢀ  
—ꢀꢀLessꢀthanꢀ5ꢀmAꢀ(typ.)ꢀCMOSꢀstand-by  
•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels  
•ꢀ Singleꢀ3.3Vꢀpowerꢀsupply  
WhenꢀCEꢀisꢀHIGHꢀ(deselected),ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀ  
standbyꢀmodeꢀatꢀwhichꢀtheꢀpowerꢀdissipationꢀcanꢀbeꢀre-  
ducedꢀdownꢀwithꢀCMOSꢀinputꢀlevels.  
•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀꢀ  
required  
EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ  
andꢀOutputꢀEnableꢀinputs,ꢀCEꢀandꢀOE.ꢀTheꢀactiveꢀLOWꢀ  
WriteꢀEnableꢀ(WE)ꢀcontrolsꢀbothꢀwritingꢀandꢀreadingꢀofꢀtheꢀ  
memory.ꢀꢀAꢀdataꢀbyteꢀallowsꢀUpperꢀByteꢀ(UB)ꢀandꢀLowerꢀ  
Byteꢀ(LB)ꢀaccess.  
•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs  
•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes  
•ꢀ Industrialꢀtemperatureꢀavailable  
•ꢀ Lead-freeꢀavailable  
TheꢀIS61LV25616ALꢀisꢀpackagedꢀinꢀtheꢀJEDECꢀstandardꢀ  
44-pinꢀ400-milꢀSOJ,ꢀ44-pinꢀTSOPꢀTypeꢀII,ꢀ44-pinꢀLQFPꢀ  
andꢀ48-pinꢀMiniꢀBGAꢀ(8mmꢀxꢀ10mm).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
256K x 16  
MEMORY ARRAY  
A0-A17  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O0-I/O7  
Lower Byte  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
CIRCUIT  
I/O8-I/O15  
Upper Byte  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
UB  
LB  
Copyrightꢀ©ꢀ2011ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwithoutꢀ  
notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-  
estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspecificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-  
ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ  
unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstancesꢀ  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774ꢀ  
1
Rev. F  
12/15/2011  
1234567...16

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IS61LV25616AL-10TL 替代型号

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