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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | TSOP1-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.25 |
| 最长访问时间： | 20 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向引出线： | NO | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 最大压摆率： | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.33 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61LV256-25J | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
|
| IS61LV256-25JI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS61LV256-25N | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
|
| IS61LV256-25NI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS61LV256-25T | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
|
| IS61LV256-25TI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28 |
|
| IS61LV256-7J | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 7ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| IS61LV256-7T | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 7ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28 |
|
| IS61LV256-7TI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 7ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28 |
|
| IS61LV2568 | ISSI |
获取价格 |
256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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