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IS61LV2568-8KI

更新时间： 2024-11-15 23:59:47

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	90K
描述
x8 SRAM

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IS61LV2568-8KI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
针数：	36	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	8 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J36
JESD-609代码：	e0	长度：	23.5 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ36,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS61LV2568-8KI 数据手册

ISSI^®

DECEMBER 2000

IS61LV2568

256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV2568 is a very high-speed, low power,

262,144-wordby8-bitCMOSstaticRAM.TheIS61LV2568

is fabricated using ISSI's high-performance CMOS tech-

nology. This highly reliable process coupled with innova-

tive circuit design techniques, yields higher performance

and low power consumption devices.

• High-speed access times:

8, 10, 12 and 15 ns

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for

greater noise immunity

• Easy memory expansion with CE and OE

options

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down to 36mW (max.) with CMOS input levels.

• CE power-down

The IS61LV2568 operates from a single 3.3V power

supply and all inputs are TTL-compatible.

• Low power: 540 mW @ 10 ns

36 mW standby mode

The IS61LV2568 is available in 36-pin 400-mil SOJ, and

44-pin TSOP (Type II) packages.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 3.3V 10ꢀ power supply

• Packages available:

– 36-pin 400-mil SOJ

– 44-pin TSOP (Type II)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K X 8

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev.A

12/19/00

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61LV2568-8T	ISSI	获取价格	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV2568-8TI	ISSI	获取价格	x8 SRAM
IS61LV256-8J	ICSI	获取价格	32K X 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256-8JI	ICSI	获取价格	32K X 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256-8JI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 8ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
IS61LV256-8JL	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 8ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28
IS61LV2568L	ISSI	获取价格	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV2568L_08	ISSI	获取价格	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61LV2568L-10K	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36
IS61LV2568L-10KI	ISSI	获取价格	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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