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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 8 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.55 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61LV256AL | ISSI |
获取价格 |
异步静态随机存取存储器 |
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| IS61LV256AL_09 | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV256AL-10J | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV256AL-10JI | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV256AL-10JL | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV256AL-10JLI | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV256AL-10T | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV256AL-10TI | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV256AL-10TL | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV256AL-10TLI | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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