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IS61LV256L-20N

更新时间: 2024-01-14 04:01:47
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 444K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDIP28,

IS61LV256L-20N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IS61LV256L-20N 数据手册

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