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IS61LV3216-12KI

更新时间： 2024-11-16 05:11:55

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	58K
描述
32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

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IS61LV3216-12KI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J44	JESD-609代码：	e0
长度：	28.58 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX16	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ44,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

IS61LV3216-12KI 数据手册

IS61LV3216

32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

ISSI

NOVEMBER 1997

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV3216 is a high-speed, 512K static RAM

organized as 32,768 words by 16 bits. It is fabricated using

ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reli-

able process coupled with innovative circuit design tech-

niques, yields fast access times with low power consumption.

• High-speed access time: 10, 12, 15, and 20 ns

• CMOS low power operation

— 150 mW (typical) operating

— 150 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V 10ꢀ power supply

WhenCEisHIGH(deselected),thedeviceassumesastandby

mode at which the power dissipation can be reduced down

with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write

Enable(WE)controlsbothwritingandreadingofthememory.A

databyteallowsUpperByte(UB)andLowerByte(LB)access.

• Three state outputs

• Industrial temperature available

• Available in 44-pin 400-mil SOJ package and

44-pin TSOP (Type 2)

The IS61LV3216 is packaged in the JEDEC standard 44-pin

400-mil SOJ and 44-pin TSOP (Type 2).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

32K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A14

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. A

04/17/01

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61LV3216-12T	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216-12T	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX16, 12ns, CMOS, PDSO44,
IS61LV3216-12TI	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216-15K	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216-15K	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PDSO44,
IS61LV3216-15KI	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216-15T	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216-15T	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PDSO44,
IS61LV3216-15TI	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
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