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IS61LV3216-20K

更新时间： 2024-11-16 20:31:11

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	429K
描述
Standard SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PDSO44,

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IS61LV3216-20K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOJ, SOJ44,.44	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J44	JESD-609代码：	e0
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	端子数量：	44
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ44,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.005 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IS61LV3216-20K 数据手册

IS61LV3216

32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ICSI IS61LV3216 is a high-speed, 512K static RAM

organized as 32,768 words by 16 bits. It is fabricated using

ICSI's high-performance CMOS technology. This highly reli-

able process coupled with innovative circuit design techniques,

yields fast access times with low power consumption.

• High-speed access time: 10, 12, 15, and 20 ns

• CMOS low power operation

— 150 mW (typical) operating

— 150 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V ± 10% power supply

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Industrial temperature available

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby

mode at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and

Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write

Enable (WE) controls both writing and reading of the memory.

A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• Available in 44-pin 400mil SOJ package and

44-pin TSOP-2

The IS61LV3216 is packaged in the JEDEC standard 44-pin

400mil SOJ and 44-pin 400mil TSOP-2.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

32K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A14

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

SR009-0B

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61LV3216-20KI	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216-20KI	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PDSO44,
IS61LV3216-20T	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PDSO44,
IS61LV3216-20T	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216-20TI	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216-20TI	ICSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PDSO44,
IS61LV3216L	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-10K	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-10T	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV3216L-12K	ISSI	获取价格	32K x 16 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

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