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IS61LV256AL-10J

更新时间： 2024-02-06 00:07:40
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
13页 96K
描述
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

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IS61LV256AL-10J 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ, SOJ28,.34针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.21
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J28JESD-609代码：e0
长度：18.12 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ28,.34封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.76 mm
最大待机电流：0.00004 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.63 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.58 mm
Base Number Matches：1

IS61LV256AL-10J 数据手册

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®
IS61LV256AL  
ISSI  
32K x 8 LOW VOLTAGE  
CMOS STATIC RAM  
MARCH 2006  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The ISSI IS61LV256AL is a very high-speed, low power,  
32,768-word by 8-bit static RAM. It is fabricated using  
ISSI's high-performance CMOS technology. This highly  
reliable process coupled with innovative circuit design  
techniques, yields access times as fast as 8 ns maximum.  
• High-speed access times:  
— 10 ns  
• Automatic power-down when chip is deselected  
• CMOS low power operation  
— 60 µW (typical) CMOS standby  
— 65 mW (typical) operating  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a  
standbymodeatwhichthepowerdissipationisreducedto  
150 µW (typical) with CMOS input levels.  
• TTL compatible interface levels  
• Single 3.3V power supply  
Easy memory expansion is provided by using an active  
LOW Chip Enable (CE). The active LOW Write Enable  
(WE) controls both writing and reading of the memory.  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
• Three-state outputs  
• Lead-free available  
The IS61LV256AL is available in the JEDEC standard 28-  
pin,300-milSOJandthe450-milTSOP(TypeI)packages.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
32K X 8  
MEMORY ARRAY  
A0-A14  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
I/O0-I/O7  
CIRCUIT  
CE  
CONTROL  
CIRCUIT  
OE  
WE  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability  
arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany  
publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
1
Rev. A  
03/17/06  
1234567...13

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