是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 3.13 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61LV256-25NI | ETC |
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x8 SRAM |
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IS61LV256-25T | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
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IS61LV256-25TI | ISSI |
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Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28 |
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IS61LV256-7J | ISSI |
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Standard SRAM, 32KX8, 7ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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IS61LV256-7T | ISSI |
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Standard SRAM, 32KX8, 7ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28 |
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IS61LV256-7TI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 7ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28 |
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IS61LV2568 | ISSI |
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256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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IS61LV2568_03 | ISSI |
获取价格 |
256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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IS61LV2568-10K | ISSI |
获取价格 |
256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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IS61LV2568-10KI | ISSI |
获取价格 |
x8 SRAM |
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