IS61LV25616L-10LQI

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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美国芯成 - ISSI		/
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描述
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS61LV25616L-10LQI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.135 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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IS61LV25616L

ISSI

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

JUNE 2002

DESCRIPTION

FEATURES

The ISSI IS61LV25616L is a high-speed, 4,194,304-bit

static RAM organized as 262,144 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS technol-

ogy. This highly reliable process coupled with innovative

circuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlow

power consumption devices.

• High-speed access time:

— 10, 12, and 15 ns

• Low Active Power

— Less than 90mA (typ.) Active Current

• Low standby power:

— Less than 1 mA (typ.) CMOS standby

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory.A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

The IS61LV25616L is packaged in the JEDEC standard

44-pin400-milSOJ,44-pinTSOPTypeII,44-pinLQFPand

48-pin Mini BGA (8mm x 10mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A17

DECODER

VCC

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. B

06/28/02

12 3 4 5 6 7...11

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IS61LV25616L-10TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS61LV25616L-12KI	ISSI	获取价格	256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
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