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IS61LV256-20N

更新时间： 2024-01-11 09:31:32

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美国芯成 - ISSI		/
页数	文件大小	规格书
8页	103K
描述
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

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IS61LV256-20N 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.25
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
反向引出线：	NO	最大待机电流：	0.005 A
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.33 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IS61LV256-20N 数据手册

IS61LV256

32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM

ISSI

FEBRUARY 1996

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV256 is a very high-speed, low power,

32,768-word by 8-bit static RAM. It is fabricated using ISSI's

high-performance CMOS technology. This highly reliable pro-

cess coupled with innovative circuit design techniques, yields

access times as fast as 12 ns maximum.

• High-speed access time: 12, 15, 20, 25 ns

• Automatic power-down when chip is deselected

• CMOS low power operation

— 345 mW (max.) operating

— 7 mW (max.) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

WhenCEisHIGH(deselected),thedeviceassumesastandby

mode at which the power dissipation is reduced to

50 µW (typical) with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

Easy memory expansion is provided by using an active LOW

ChipEnable(CE).TheactiveLOWWriteEnable(WE)controls

both writing and reading of the memory.

• Three-state outputs

The IS61LV256 is available in the JEDEC standard 28-pin,

300-mil DIP and SOJ, plus the 450-mil TSOP package.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256 X 1024

MEMORY ARRAY

A0-A14

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors which

Integrated Silicon Solution, Inc.

2-1

Rev. F 0296

SR81995LV61

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61LV256-20NI	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61LV256-20T	ISSI	获取价格	32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256-20TI	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61LV256-25J	ISSI	获取价格	32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256-25JI	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61LV256-25N	ISSI	获取价格	32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256-25NI	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61LV256-25T	ISSI	获取价格	32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS61LV256-25TI	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28
IS61LV256-7J	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 7ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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