是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.25 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | NO | 最大待机电流: | 0.005 A |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.33 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61LV256-20N | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
![]() |
IS61LV256-20NI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
![]() |
IS61LV256-20T | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
![]() |
IS61LV256-20TI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
![]() |
IS61LV256-25J | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
![]() |
IS61LV256-25JI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
![]() |
IS61LV256-25N | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
![]() |
IS61LV256-25NI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
![]() |
IS61LV256-25T | ISSI |
获取价格 |
32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |
![]() |
IS61LV256-25TI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, TSOP-28 |
![]() |