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IS49NLC36160-25BL

更新时间： 2024-10-28 14:51:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
35页	1086K
描述
DDR DRAM, 16MX36, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144

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IS49NLC36160-25BL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TBGA, BGA144,12X18,40/32
针数：	144	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
Factory Lead Time：	13 weeks 6 days	风险等级：	5.65
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	2.5 ns
其他特性：	AUTO REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B144
长度：	18.5 mm	内存密度：	603979776 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA144,12X18,40/32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	电源：	1.5/1.8,1.8,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.048 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.99 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

IS49NLC36160-25BL 数据手册

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IS49NLC96400,IS49NLC18320,IS49NLC36160

576Mb (x9, x18, x36) Common I/O RLDRAM^2 Memory

JUNE 2016

FEATURES



400MHz DDR operation (800Mb/s/pin data rate)

28.8Gb/s peak bandwidth (x36 at 400 MHz clock

frequency)

Reduced cycle time (15ns at 400MHz)

32ms refresh (16K refresh for each bank; 128K refresh

command must be issued in total each 32ms)

8 internal banks

Non-multiplexed addresses (address multiplexing option

available)

SRAM-type interface

Programmable READ latency (RL), row cycle time, and

burst sequence length

Balanced READ and WRITE latencies in order to optimize

data bus utilization

Data mask signals (DM) to mask signal of WRITE data; DM

is sampled on both edges of DK.



Differential input clocks (CK, CK#)

Differential input data clocks (DKx, DKx#)

On-die DLL generates CK edge-aligned data and output

data clock signals

Data valid signal (QVLD)

HSTL I/O (1.5V or 1.8V nominal)

25-60Ω matched impedance outputs

2.5V V_EXT, 1.8V V_DD, 1.5V or 1.8V V_DDQI/O

On-die termination (ODT) R_TT



IEEE 1149.1 compliant JTAG boundary scan



Operating temperature:

Commercial

(T_C= 0° to +95°C; T_A= 0°C to +70°C),

Industrial



(T_C= -40°C to +95°C; T_A= -40°C to +85°C)

OPTIONS



Package:



144-ball FBGA (leaded)

144-ball FBGA (lead-free)

144-ball WBGA (lead-free)



Configuration:



64Mx9

32Mx18

16Mx36

Clock Cycle Timing:

Speed Grade

-25E

-25

-33

-5

Unit

t_RC

t_CK

2.5

3.3

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the

latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can

reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such

applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

RLDRAM^is a registered trademark of Micron Technology, Inc.

Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –

Rev. A1, 06/06/2016

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IS49NLC36160-33BLI	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 16MX36, 3.3ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144
IS49NLC36160-33WBL	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, WBGA-144
IS49NLC36160-5WBLI	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, WBGA-144
IS49NLC36160A	ISSI	获取价格	Reduced cycle time
IS49NLC36160A-18BLI	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, FBGA-144
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