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IS46R32400E-6BLA1

更新时间： 2024-11-23 19:58:27

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
31页	1347K
描述
DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, FBGA-144

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IS46R32400E-6BLA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LFBGA, BGA144,12X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
长度：	12 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA144,12X12,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.4 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.3 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

IS46R32400E-6BLA1 数据手册

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IS43/46R16800E, IS43/46R32400E

JANUARY 2014

4Mx32, 8Mx16

128Mb DDR SDRAM

FEATURES

DEVICE OVERVIEW

•ꢀ VDDꢀandꢀVDDQ:ꢀ2.5Vꢀ±ꢀ0.2Vꢀ(-5,-6)

•ꢀ VDDꢀandꢀVDDQ:ꢀ2.5Vꢀ±ꢀ0.1Vꢀ(-4)

•ꢀ SSTL_2ꢀcompatibleꢀI/O

ISSI’sꢀ128-MbitꢀDDRꢀSDRAMꢀachievesꢀhighꢀspeedꢀdataꢀ

transfer using pipeline architecture and two data word

accessesꢀperꢀclockꢀcycle.ꢀTheꢀ134,217,728-bitꢀmemoryꢀ

arrayꢀisꢀinternallyꢀorganizedꢀasꢀfourꢀbanksꢀofꢀ32Mbꢀtoꢀ

allowꢀconcurrentꢀoperations.ꢀTheꢀpipelineꢀallowsꢀReadꢀ

and Write burst accesses to be virtually continuous, with

theꢀoptionꢀtoꢀconcatenateꢀorꢀtruncateꢀtheꢀbursts.ꢀTheꢀ

programmable features of burst length, burst sequence

andꢀCASꢀlatencyꢀenableꢀfurtherꢀadvantages.ꢀTheꢀdeviceꢀ

isꢀavailableꢀinꢀ16-bitꢀandꢀ32-bitꢀdataꢀwordꢀsizeꢀInputꢀ

dataꢀisꢀregisteredꢀonꢀtheꢀI/Oꢀpinsꢀonꢀbothꢀedgesꢀofꢀ

DataꢀStrobeꢀsignal(s),ꢀwhileꢀoutputꢀdataꢀisꢀreferencedꢀ

toꢀbothꢀedgesꢀofꢀDataꢀStrobeꢀandꢀbothꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀ

CommandsꢀareꢀregisteredꢀonꢀtheꢀpositiveꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀ

•ꢀ Double-dataꢀrateꢀarchitecture;ꢀtwoꢀdataꢀtransfersꢀ

per clock cycle

•ꢀ Bidirectional,ꢀdataꢀstrobeꢀ(DQS)ꢀisꢀtransmitted/

received with data, to be used in capturing data

at the receiver

•ꢀ DQSꢀisꢀedge-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀREADsꢀandꢀ

centre-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀWRITEs

•ꢀ Differentialꢀclockꢀinputsꢀ(CKꢀandꢀCK)

•ꢀ DLLꢀalignsꢀDQꢀandꢀDQSꢀtransitionsꢀwithꢀCKꢀ

transitions

•ꢀ CommandsꢀenteredꢀonꢀeachꢀpositiveꢀCKꢀedge;ꢀdataꢀ

andꢀdataꢀmaskꢀreferencedꢀtoꢀbothꢀedgesꢀofꢀDQS

AnꢀAutoꢀRefreshꢀmodeꢀisꢀprovided,ꢀalongꢀwithꢀaꢀSelfꢀ

Refreshꢀmode.ꢀAllꢀI/OsꢀareꢀSSTL_2ꢀcompatible.

•ꢀ Fourꢀinternalꢀbanksꢀforꢀconcurrentꢀoperation

ADDRESS TABLE

•ꢀ DataꢀMaskꢀforꢀwriteꢀdata.ꢀDMꢀmasksꢀwriteꢀdataꢀ

Parameter

4M x 32

8M x 16

at both rising and falling edges of data strobe

Conﬁguration

1Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀ

2Mꢀxꢀ16ꢀxꢀ4ꢀ

banks

•ꢀ BurstꢀLength:ꢀ2,ꢀ4ꢀandꢀ8

banks

•ꢀ BurstꢀType:ꢀSequentialꢀandꢀInterleaveꢀmode

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatency:ꢀ2,ꢀ2.5,ꢀ3,ꢀandꢀ4

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀandꢀSelfꢀRefreshꢀModes

•ꢀ AutoꢀPrecharge

BankꢀAddressꢀ BA0,ꢀBA1

Pins

BA0,ꢀBA1

Autoprecharge A8/AP

Pins

A10/AP

•ꢀ TrasꢀLockoutꢀsupportedꢀ(trap = trcd)

RowꢀAddress

4K(A0ꢀ–ꢀA11)

512(A0ꢀ–ꢀA8)

Column

Address

256(A0ꢀ–ꢀA7)

OPTIONS

•ꢀ Conﬁguration(s):ꢀ4Mx32,ꢀ8Mx16

RefreshꢀCount

Com./Ind./A1

•ꢀ Package(s):ꢀ

ꢀ 144ꢀBallꢀBGAꢀ(x32)

66-pinꢀTSOP-IIꢀ(x16)ꢀandꢀ60ꢀBallꢀBGAꢀ(x16)

•ꢀ Lead-freeꢀpackageꢀavailable

•ꢀ TemperatureꢀRange:ꢀ

4Kꢀ/ꢀ64ms

4Kꢀ/ꢀ16ms

4Kꢀ/ꢀ64ms

4Kꢀ/ꢀ16ms

KEY TIMING PARAMETERS

SpeedꢀGrade

-4

-5

-6

Units

MHz

ꢀ Commercialꢀ(0°Cꢀtoꢀ+70°C)

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ4

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ3

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2.5

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2

250

200

—

ꢀ Industrialꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+85°C)

Automotive,ꢀA1ꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+85°C)

Automotive,ꢀA2ꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+105°C)

200

167

133

167

133

—

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest

version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product can reason-

ably be expected to cause failure of the life support system or to signiﬁcantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use in such applications

unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc.

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1/16/14

12 3 4 5 6 7...31

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与IS46R32400E-6BLA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS46R32800D-6BLA1	ISSI	获取价格	8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM
IS46R32800F	ISSI	获取价格	Auto Precharge
IS46R32800F-6BLA1	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, LEAD FREE, MO-205, LFBGA-144
IS46R83200B	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS46R83200B-6TLA	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-
IS46R83200B-6TLA1	ISSI	获取价格	32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS46R83200B-6TLA1-TR	ISSI	获取价格	DRAM
IS46R83200B-75TLA	ISSI	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
IS46R83200D-6BLA1	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM , 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
IS46R83200D-6BLA1-TR	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60,

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