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IS46TR16128A-125KBLA2

更新时间： 2024-11-23 12:04:19

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器双倍数据速率
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81页	3393K
描述
256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

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IS46TR16128A-125KBLA2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA96,9X16,32
针数：	96	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
Factory Lead Time：	13 weeks 6 days	风险等级：	5.32
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	13.125 ns
其他特性：	AUTO SELF REFRESH MODE, ALSO OPERATES AT 1.35 V NOMINAL SUPPLY	最大时钟频率 (fCLK)：	800 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B96	长度：	13 mm
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	96
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA96,9X16,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.02 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

IS46TR16128A-125KBLA2 数据手册

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IS43/46TR16128A, IS43/46TR16128AL,

IS43/46TR82560A, IS43/46TR82560AL

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

AUGUST 2013

FEATURES



Standard Voltage: V_DDand V_DDQ= 1.5V ± 0.075V

Low Voltage (L): V_DDand V_DDQ= 1.35V + 0.1V, -0.067V



Refresh Interval:

7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C to 85°C

3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C to 105°C



High speed data transfer rates with system

frequency up to 933 MHz



Partial Array Self Refresh



8 internal banks for concurrent operation

8n-Bit pre-fetch architecture

Asynchronous RESET pin

TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8

only)

Programmable CAS Latency

Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2



OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)

Dynamic ODT (On-Die Termination)

Driver strength : RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)

Write Leveling

Programmable CAS WRITE latency (CWL) based

on tCK



Programmable Burst Length: 4 and 8

Programmable Burst Sequence: Sequential or

Interleave

Operating temperature:

Commercial (T_C= 0°C to +95°C)

Industrial (T_C= -40°C to +95°C)

Automotive, A1 (T_C= -40°C to +95°C)

Automotive, A2 (T_C= -40°C to +105°C)



BL switch on the fly

Auto Self Refresh(ASR)

Self Refresh Temperature(SRT)

ADDRESS TABLE

Parameter

OPTIONS

256Mx8

A0-A14

A0-A9

BA0-2

1KB

128Mx16

A0-A13

A0-A9

BA0-2

2KB



Configuration:

Row Addressing

Column Addressing

Bank Addressing

256Mx8

128Mx16



Package:

Page size

Auto Precharge

Addressing

96-ball FBGA (9mm x 13mm) for x16

78-ball FBGA (8mm x 10.5mm) for x8

A10/AP

BL switch on the fly

A12/BC#

SPEED BIN

Speed Option

187F

15H

125K

107M

Units

JEDEC Speed Grade

DDR3-1066F

DDR3-1333H

DDR3-1600K

DDR3-1866M

CL-nRCD-nRP

tRCD,tRP(min)

7-7-7

13.125

9-9-9

13.125

11-11-11

13.125

13-13-13

13.91

tCK

Note: Faster speed options are backward compatible to slower speed options.

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised

to obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. does not recommend the use of any of its products in life support applications where the failure or malfunction of the product

can reasonably be expected to cause failure of the life support system or to significantly affect its safety or effectiveness. Products are not authorized for use

in such applications unless Integrated Silicon Solution, Inc. receives written assurance to its satisfaction, that:

a.) the risk of injury or damage has been minimized;

b.) the user assume all such risks; and

c.) potential liability of Integrated Silicon Solution, Inc is adequately protected under the circumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –

Rev. B1

8/08/2013

12 3 4 5 6 7...81

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IS46TR16128A-125KBLA2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IS46TR16128A-125KBLA1	ISSI	类似代替	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS43TR16128A-125KBLI	ISSI	功能相似	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS43TR16128A-125KBL	ISSI	功能相似	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS46TR16128A-15HBLA1	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128A-15HBLA2	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128A-187FBLA1	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128A-187FBLA2	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128AL-125KBLA1	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128AL-125KBLA2	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128AL-15HBLA1	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128AL-15HBLA2	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128AL-187FBLA1	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 128MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-96
IS46TR16128AL-187FBLA2	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 128MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-96

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