是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TFBGA, BGA96,9X16,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 13 weeks 6 days | 风险等级: | 5.61 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.255 ns |
其他特性: | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 667 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 | 长度: | 13 mm |
内存密度: | 2147483648 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 96 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA96,9X16,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
电源: | 1.35 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.02 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.255 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.283 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.35 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS46TR16128AL-187FBLA1 | ISSI |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-96 | |
IS46TR16128AL-187FBLA2 | ISSI |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-96 | |
IS46TR16128B | ISSI |
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Programmable CAS Latency | |
IS46TR16128B-125KBLA1 | ISSI |
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DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96 | |
IS46TR16128B-125KBLA1-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS46TR16128B-125KBLA2 | ISSI |
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DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96 | |
IS46TR16128B-125KBLA2-TR | ISSI |
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IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA | |
IS46TR16128B-15HBLA1 | ISSI |
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DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96 | |
IS46TR16128B-15HBLA1-TR | ISSI |
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA | |
IS46TR16128B-15HBLA2 | ISSI |
获取价格 |
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA |