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IS46R83200D-6BLA1

更新时间： 2024-11-19 20:46:51

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
34页	994K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM , 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60

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IS46R83200D-6BLA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X12,40/32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.75	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.405 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

IS46R83200D-6BLA1 数据手册

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IS43R83200D

IS43/46R16160D, IS43/46R32800D

8Mx32,ꢀ16Mx16,ꢀ32Mx8ꢀ

256MbꢀDDRꢀSDRAM

ADVANCEDꢀINFORMATION

ꢀ

DECEMBERꢀ2011

FEATURES

DEVICEꢀOVERVIEW

•ꢀ VDDꢀandꢀVDDQ:ꢀ2.5Vꢀ ꢀ0.2Vꢀ(-5,ꢀ-6)

•ꢀ VDDꢀandꢀVDDQ:ꢀ2.5Vꢀ ꢀ0.1Vꢀ(-4)

•ꢀ SSTL_2ꢀcompatibleꢀI/O

•ꢀ Double-dataꢀrateꢀarchitecture;ꢀtwoꢀdataꢀtransfersꢀ

perꢀclockꢀcycle

•ꢀ Bidirectional,ꢀdataꢀstrobeꢀ(DQS)ꢀisꢀtransmitted/

receivedꢀwithꢀdata,ꢀtoꢀbeꢀusedꢀinꢀcapturingꢀdataꢀ

atꢀtheꢀreceiver

•ꢀ DQSꢀisꢀedge-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀREADsꢀandꢀ

centre-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀWRITEs

ISSI’sꢀ256-MbitꢀDDRꢀSDRAMꢀachievesꢀhighꢀspeedꢀdataꢀ

transferꢀusingꢀpipelineꢀarchitectureꢀandꢀtwoꢀdataꢀwordꢀ

accessesꢀperꢀclockꢀcycle.ꢀTheꢀ268,435,456-bitꢀmemoryꢀ

arrayꢀisꢀinternallyꢀorganizedꢀasꢀfourꢀbanksꢀofꢀ64Mbꢀtoꢀ

allowꢀconcurrentꢀoperations.ꢀTheꢀpipelineꢀallowsꢀReadꢀ

andꢀWriteꢀburstꢀaccessesꢀtoꢀbeꢀvirtuallyꢀcontinuous,ꢀwithꢀ

theꢀoptionꢀtoꢀconcatenateꢀorꢀtruncateꢀtheꢀbursts.ꢀTheꢀ

programmableꢀfeaturesꢀofꢀburstꢀlength,ꢀburstꢀsequenceꢀ

andꢀCASꢀlatencyꢀenableꢀfurtherꢀadvantages.ꢀTheꢀdeviceꢀ

isꢀavailableꢀinꢀ8-bit,ꢀ16-bitꢀandꢀ32-bitꢀdataꢀwordꢀsizeꢀ

InputꢀdataꢀisꢀregisteredꢀonꢀtheꢀI/Oꢀpinsꢀonꢀbothꢀedgesꢀ

ofꢀDataꢀStrobeꢀsignal(s),ꢀwhileꢀoutputꢀdataꢀisꢀreferencedꢀ

toꢀbothꢀedgesꢀofꢀDataꢀStrobeꢀandꢀbothꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀ

CommandsꢀareꢀregisteredꢀonꢀtheꢀpositiveꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀ

•ꢀ Differentialꢀclockꢀinputsꢀ(CKꢀandꢀCK)

•ꢀ DLLꢀalignsꢀDQꢀandꢀDQSꢀtransitionsꢀwithꢀCKꢀ

transitions

•ꢀ CommandsꢀenteredꢀonꢀeachꢀpositiveꢀCKꢀedge;ꢀdataꢀ

andꢀdataꢀmaskꢀreferencedꢀtoꢀbothꢀedgesꢀofꢀDQS

AnꢀAutoꢀRefreshꢀmodeꢀisꢀprovided,ꢀalongꢀwithꢀaꢀSelfꢀ

Refreshꢀmode.ꢀAllꢀI/OsꢀareꢀSSTL_2ꢀcompatible.

•ꢀ Fourꢀinternalꢀbanksꢀforꢀconcurrentꢀoperation

•ꢀ DataꢀMaskꢀforꢀwriteꢀdata.ꢀDMꢀmasksꢀwriteꢀdataꢀ

atꢀbothꢀrisingꢀandꢀfallingꢀedgesꢀofꢀdataꢀstrobe

ADDRESSꢀTABLE

Parameter

8Mꢀxꢀ32

16Mꢀxꢀ16

32Mꢀxꢀ8

•ꢀ BurstꢀLength:ꢀ2,ꢀ4ꢀandꢀ8

Conﬁguration 2Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀ

banks

4Mꢀxꢀ16ꢀxꢀ4ꢀꢀ 8Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀꢀ

banks

•ꢀ BurstꢀType:ꢀSequentialꢀandꢀInterleaveꢀmode

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatency:ꢀ2,ꢀ2.5ꢀandꢀ3ꢀ

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀandꢀSelfꢀRefreshꢀModes

•ꢀ AutoꢀPrecharge

BankꢀAddressꢀ BA0,ꢀBA1

Pins

BA0,ꢀBA1

Autoprechargeꢀ A8/AP

Pins

A10/AP

RowꢀAddress 4K(A0ꢀ–ꢀA11) 8K(A0ꢀ–ꢀA12) 8K(A0ꢀ–ꢀA12)

OPTIONS

Columnꢀ

Address

512(A0ꢀ–ꢀA7,ꢀ 512(A0ꢀ–ꢀA8) 1K(A0ꢀ–ꢀA9)

A9)

•ꢀ Dieꢀrevision:ꢀD

•ꢀ Conﬁguration(s):ꢀ8Mx32,ꢀ16Mx16,ꢀ32Mx8

•ꢀ Package(s):ꢀ

ꢀ 144ꢀBallꢀBGAꢀ(x32)

RefreshꢀCountꢀ

ꢀ

Com./Ind./A1ꢀ 4Kꢀ/ꢀ64msꢀ

A2 4Kꢀ/ꢀ16ms

8Kꢀ/ꢀ64msꢀ

8Kꢀ/ꢀ16ms

8Kꢀ/ꢀ64ms

ꢀ

66-pinꢀTSOP-IIꢀ(x8,ꢀx16)ꢀandꢀ60ꢀBallꢀBGAꢀ(x8,ꢀx16)

•ꢀ Lead-freeꢀpackageꢀavailable

•ꢀ TemperatureꢀRange:ꢀ

ꢀ Commercialꢀ(0°Cꢀtoꢀ+70°C)

ꢀ Industrialꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+85°C)ꢀ

Automotive,ꢀA1ꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+85°C)ꢀ

Automotive,ꢀA2ꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+105°C)

KEYꢀTIMINGꢀPARAMETERS

SpeedꢀGradeꢀ

ꢀ

-4ꢀ

-5ꢀ

ꢀ

-6ꢀ

ꢀ

Unitsꢀ

x8,ꢀx16ꢀonlyꢀ

ꢀ

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ3ꢀ

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2.5ꢀ

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2ꢀ

250ꢀ

—ꢀ

200ꢀ

133ꢀ

167ꢀ ꢀ MHz

133ꢀ ꢀ MHz

—ꢀ

notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-

estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀꢀ

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-

ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ

unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. ꢀ

Rev.ꢀ 00E

12/19/2011

12 3 4 5 6 7...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS46R83200D-6BLA1-TR	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60,
IS46R83200F-6BA2	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
IS46R83200F-6BLA2	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
IS46R86400D-6BLA1	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
IS46R86400D-6BLA1-TR	ISSI	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, L
IS46R86400D-6TLA1	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-66
IS46R86400D-6TLA1-TR	ISSI	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-66
IS46TR16128A-125KBLA1	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128A-125KBLA2	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM
IS46TR16128A-15HBLA1	ISSI	获取价格	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

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