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IRLZ34N

更新时间： 2024-11-26 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 66K
描述
N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor

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IRLZ34N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
其他特性：ESD PROTECTED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.046 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLZ34N 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel enhancement mode  
IRLZ34N  
Logic level TrenchMOSTM transistor  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode logic  
level field-effect power transistor in a  
plastic envelope using ’trench’  
technology. The device features very  
low on-state resistance and has  
integral zener diodes giving ESD  
protection up to 2kV. It is intended for  
useinswitchedmodepowersupplies  
and general purpose switching  
applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
30  
68  
175  
35  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
s
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
Tj = 25 ˚C to 175˚C  
Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ  
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
± 13  
30  
21  
110  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total power dissipation  
Operating junction and  
storage temperature  
68  
175  
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction  
to mounting base  
Thermal resistance junction  
to ambient  
-
2.2  
K/W  
60  
-
K/W  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge  
capacitor voltage, all pins  
Human body model (100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
February 1999  
1
Rev 1.000  
1234567

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IRLZ34N 替代型号

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IRLZ34NPBF INFINEON

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