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IRLZ34STRL

更新时间： 2024-11-01 21:22:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
11页 195K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

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IRLZ34STRL 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.04其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLZ34STRL 数据手册

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PD - 9.905A  
IRLZ34S/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Surface Mount (IRLZ34S)  
l Low-profile through-hole (IRLZ34L)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 60V  
RDS(on) = 0.050Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 30A  
S
Description  
Third Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate  
up to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRLZ34L) is available for low-  
profile applications.  
2
D
Pa k  
T O -2 6 2  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
21  
A
110  
3.7  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W
Power Dissipation  
88  
Linear Derating Factor  
0.59  
± 10  
220  
4.5  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
°C  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
Typ.  
–––  
Max.  
1.7  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
–––  
8/25/97  
www.vishay.com  
Document Number: 90418  
1
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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