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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLZ44-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLZ44-031PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLZ44A | SAMSUNG |
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ADVANCED POWER MOSFET |
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| IRLZ44N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) |
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| IRLZ44N-010PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLZ44N-024 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLZ44NL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) |
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| IRLZ44NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRLZ44NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A) |
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| IRLZ44NS/L | INFINEON |
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Logic-Level Gate Drive |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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